三星推出首款12层HBM4E芯片，股价上涨超6%

三星电子（005930.KS）在AI存储芯片市场取得新进展。星推芯片公司宣布正在向全球客户提供全新12层HBM4E高带宽存储器样品，出首超未来将根据客户需求扩展更多容量版本。款层

受此消息的上涨影响，三星股价一度上涨6.5%，星推芯片最新交易数据为31.15万韩元，出首超涨幅达4%。款层

HBM芯片是上涨AI基础设施建设的重要组成部分，广泛应用于英伟达（NVDA.O）Rubin平台、星推芯片谷歌（GOOGL.O）Ironwood张量处理单元以及其他先进AI加速器，出首超满足处理器对高速数据传输的款层需求。

目前，上涨三星、星推芯片SK海力士（000660.KS）和美光科技（MU.O）是出首超全球HBM市场的主要供应商。

新发布的款层12层HBM4E芯片是行业内首款同类标品，其最高传输速度可达每秒16Gb，并在能效和散热性能上有所提升。该芯片采用第六代10纳米级DRAM工艺（1c DRAM），并结合三星4纳米晶圆代工逻辑基底制造。

HBM4E芯片采用DRAM垂直堆叠技术，单颗芯片容量为48GB，较前一代产品提升逾30%。三星还计划推出8层32GB和16层64GB等不同规格的产品，以满足客户需求。

这标志着三星在下一代AI存储器市场竞争中的重要一步。今年2月，三星已开始向客户提供HBM4芯片，仅三个月后推出HBM4E样品，表明其加速新品迭代，力图缩小与行业领头羊SK海力士的差距。

三星在4月表示将在第二季度交付首批HBM4E样品，现在已完成该计划。随着AI服务器和处理器需求的增加，三星的HBM客户涵盖超威半导体（AMD.O）、英伟达和谷歌等主要科技公司。

三星电子执行副总裁黄相俊表示：“凭借先进的制造能力和前瞻性的基础设施投资，我们将继续推动全球AI存储器市场的发展。”

市场分析认为，此次产品发布将增强三星在AI芯片领域的竞争力。此前，三星在对英伟达等客户供应先进HBM产品方面落后于SK海力士和美光。

近期，人工智能公司Anthropic在最新融资轮中将三星列为战略基础设施合作伙伴，融资后估值为9650亿美元，并确认三星、美光科技和SK海力士为关键合作伙伴。三星的逻辑芯片能力受到重点关注，市场对其未来获得更多晶圆代工订单的预期提升。

去年三星与特斯拉（TSLA.O）签署了价值165亿美元的芯片供应协议。分析师表示，随着台积电在未来几年预计将面临先进制程产能紧张，三星作为少数具备先进芯片制造能力的公司，有望获得更多高端代工订单。

KB Securities-Jefferies研究主管金杰夫指出，HBM市场有明显的先发优势，率先完成产品认证并进入客户供应链的厂商通常能获得更多订单。由于三星在HBM3和HBM3E市场的进入时间较晚，其过去的订单规模受限。

他表示，如果三星顺利完成HBM4E的认证流程，SK海力士和美光主导的市场格局可能会逐步演变为SK海力士与三星共同主导，尤其考虑到三星强大的制造能力。

根据Counterpoint Research的数据，预计到2025年第四季度，SK海力士将占据全球HBM市场57%的份额，位列第一；三星和美光科技的市场份额分别为22%和21%。